Anailís a dhéanamh ar MOSFETanna Feabhsúcháin agus Ídiú

Tá D-FET sa chlaonadh geata 0 nuair a bhíonn cainéal ann, is féidir leis an FET a sheoladh; Tá E-FET sa chlaonadh geata 0 nuair nach bhfuil cainéal ann, ní féidir leis an FET a sheoladh. tá a saintréithe agus a n-úsáidí féin ag an dá chineál FET seo. Go ginearálta, tá FET feabhsaithe i gciorcaid ardluais, ísealchumhachta an-luachmhar; agus an gléas seo ag obair, is é polaraíocht an gheata bias voltage agus draein voltas mar an gcéanna, tá sé níos áisiúla i ndearadh ciorcad.

An modh feabhsaithe mar a thugtar air: nuair a bhíonn VGS = 0 feadán ina stát scoite, móide an VGS ceart, déantar formhór na n-iompróirí a mhealladh chuig an geata, rud a fhágann "feabhas a chur ar" na hiompróirí sa réigiún, ag cruthú cainéal seoltaí. Go bunúsach is topology siméadrach clé-dheis é MOSFET feabhsaithe n-chainéil, arb é an leathsheoltóir P-cineál é ar ghiniúint ciseal inslithe scannán SiO2. Gineann sé ciseal inslithe de scannán SiO2 ar an leathsheoltóir P-cineál, agus ansin déanann sé dhá réigiún ard-dhópáilte de chineál N a idirleathadh trífótalitagrafaíocht, agus mar thoradh ar leictreoidí ón réigiún N-cineál, ceann amháin le haghaidh an draein D agus ceann don fhoinse S. Tá sraith de mhiotal alúmanaim plátáilte ar an ciseal inslithe idir an fhoinse agus an draein mar an geata G. Nuair a VGS = 0 V , tá go leor dé-óid ann le dé-óid droim ar ais idir an draein agus an fhoinse agus ní dhéanann an voltas idir D agus S sruth idir D agus S. Níl an sruth idir D agus S déanta ag an voltas a chuirtear i bhfeidhm .

Nuair a chuirtear voltas an gheata leis, má tá 0 < VGS < VGS(th), tríd an réimse leictrigh capacitive déanta idir an geata agus an tsubstráit, déantar na poill pholóin sa leathsheoltóir P-cineál in aice le bun an gheata a aistarraingt anuas, agus tá sraith tanaí ídiú na n-ian diúltach le feiceáil; ag an am céanna, tarraingeoidh sé na olaigíní atá ann chun bogadh go dtí an ciseal dromchla, ach tá an líon teoranta agus neamhleor chun cainéal seoltaí a fhoirmiú a chuireann an draein agus an fhoinse in iúl, agus mar sin níl sé leordhóthanach fós chun ID reatha draein a fhoirmiú. méadú breise VGS, nuair a VGS > Tugtar VGS (th) (VGS (th) ar an voltas cas), toisc go bhfuil an voltas geata sách láidir ag an am seo, sa chiseal dromchla leathsheoltóra P-cineál in aice le bun an gheata faoi bhun an bhailiúcháin níos mó. leictreoin, is féidir leat trinse, an draein agus an fhoinse cumarsáide a fhoirmiú. Má chuirtear an voltas foinse draein leis ag an am seo, is féidir an sruth draein a fhoirmiú ID. leictreoin sa chainéal seoltaí déanta faoi bhun an geata, mar gheall ar an poll iompróra leis an polaraíocht leathsheoltóra P-cineál atá os coinne, mar sin tá sé ar a dtugtar frith-cineál ciseal. De réir mar a leanann VGS ag méadú, leanfaidh ID ag méadú. ID = 0 ag VGS = 0V, agus tarlaíonn an sruth draein ach amháin tar éis VGS > VGS(th), mar sin, tugtar MOSFET feabhsaithe ar an gcineál MOSFET seo.

Is féidir cur síos a dhéanamh ar ghaol rialaithe VGS ar shruth draein leis an gcuar iD = f(VGS(th))|VDS=const, ar a dtugtar cuar saintréith an aistrithe, agus méid fána chuar saintréith an aistrithe, gm, léiríonn rialú an sruth draein ag an voltas foinse geata. is é mA/V an méid gm, mar sin tugtar an trassheoltacht ar gm freisin.