An raibh a fhios agat faoi éabhlóid MOSFET?

I. Coincheapa agus taiscéalaíochtaí luatha

Coincheap molta:Is féidir aireagán an MOSFET a rianú siar chomh fada leis na 1830idí, nuair a thug Lilienfeld Gearmánach coincheap an trasraitheora éifeacht réimse isteach. Mar sin féin, níor éirigh le hiarrachtaí le linn na tréimhse seo MOSFET praiticiúil a bhaint amach.

Réamhstaidéar:Ina dhiaidh sin, rinne Bell Labs an Shaw Teki (Shockley) agus daoine eile iarracht freisin staidéar a dhéanamh ar aireagán feadáin éifeacht réimse, ach níor éirigh leis an gcéanna. Mar sin féin, leag a gcuid taighde an bonn le haghaidh fhorbairt níos déanaí MOSFET.

II. Breith agus forbairt tosaigh MOSFETanna

Briseadh Eochair:I 1960, chruthaigh Kahng agus Atalla an trasraitheoir éifeacht réimse MOS (trasraitheoir MOS go gearr) de thaisme sa phróiseas feabhas a chur ar fheidhmíocht trasraitheoirí dépholach le dé-ocsaíd sileacain (SiO2). Ba é an t-aireagán seo ná iontráil fhoirmiúil MOSFETanna isteach sa tionscal déantúsaíochta ciorcaid chomhtháite.

Feabhsú Feidhmíochta:Le forbairt na teicneolaíochta próiseas leathsheoltóra, leanann feidhmíocht MOSFETanna ag feabhsú. Mar shampla, is féidir le voltas oibriúcháin MOS cumhachta ardvoltais 1000V a bhaint amach, níl luach friotaíochta MOS ar-fhriotaíocht íseal ach 1 ohm, agus raonta minicíochta oibriúcháin ó DC go roinnt megahertz.

III. Cur i bhfeidhm forleathan MOSFETanna agus nuálaíocht teicneolaíochta

Úsáidtear go forleathan:Úsáidtear MOSFETanna go forleathan i bhfeistí leictreonacha éagsúla, mar shampla microprocessors, cuimhní cinn, ciorcaid loighic, etc., mar gheall ar a gcuid feidhmíochta den scoth. I bhfeistí leictreonacha nua-aimseartha, tá MOSFETanna ar cheann de na comhpháirteanna fíor-riachtanach.

Nuáil teicneolaíochta:D'fhonn freastal ar riachtanais minicíochtaí oibriúcháin níos airde agus leibhéil chumhachta níos airde, d'fhorbair IR an chéad MOSFET cumhachta. ina dhiaidh sin, tugadh isteach go leor cineálacha nua feistí cumhachta, mar shampla IGBTanna, GTOanna, IPManna, etc., agus baineadh úsáid níos mó agus níos forleithne i réimsí gaolmhara.

Nuáil ábhair:Le dul chun cinn na teicneolaíochta, tá ábhair nua á scrúdú chun MOSFETanna a dhéanamh; mar shampla, tá ábhair chomhdhúile sileacain (SiC) ag fáil aird agus taighde mar gheall ar a n-airíonna fisiceacha níos fearr.Tá seoltacht teirmeach níos airde agus bandaleithead toirmiscthe ag ábhair SiC i gcomparáid le hábhair Si traidisiúnta, a chinneann a n-airíonna den scoth mar dlús ard reatha, ard neart réimse miondealú, agus teocht oibriúcháin ard.

Ceathrú, teicneolaíocht is nua-aimseartha MOSFET agus treo forbartha

Trasraitheoirí Geata Dual:Táthar ag triail teicnící éagsúla chun trasraitheoirí dé-gheata a dhéanamh chun feidhmíocht MOSFETanna a fheabhsú tuilleadh. Tá shrinkability níos fearr ag trasraitheoirí MOS geata dé i gcomparáid le geata amháin, ach tá a n-shrinkability fós teoranta.

Éifeacht trinse gearr:Is treo forbartha tábhachtach do MOSFETanna fadhb an éifeacht gearr-chainéil a réiteach. Cuirfidh an éifeacht gearr-chainéil teorainn le feabhas breise ar fheidhmíocht an fheiste, agus mar sin is gá an fhadhb seo a shárú trí dhoimhneacht acomhal na réigiún foinse agus draenála a laghdú, agus teagmhálacha leathsheoltóra miotail a chur in ionad na hacomhail PN foinse agus draein.