Toilleas geata, ar-friotaíocht agus paraiméadair eile MOSFETanna

I. Toilleas geata

Cuimsíonn toilleas geata den chuid is mó toilleas ionchuir (Ciss), toilleas aschuir (Coss) agus toilleas aistrithe droim ar ais (Crss, ar a dtugtar toilleas Miller freisin).

 

Cumas Ionchuir (Ciss):

 

SAINMHÍNIÚ: Is é an toilleas ionchuir an toilleas iomlán idir an geata agus an fhoinse agus an draein, agus tá sé comhdhéanta de toilleas foinse geata (Cgs) agus toilleas draein geata (Cgd) ceangailte go comhthreomhar, ie Ciss = Cgs + Cgd.

 

Feidhm: Bíonn tionchar ag an toilleas ionchuir ar luas aistrithe an MOSFET. Nuair a ghearrtar an toilleas ionchuir go voltas tairsí, is féidir an gléas a iompú; urscaoileadh go luach áirithe, is féidir an gléas a mhúchadh. Dá bhrí sin, tá tionchar díreach ag an gciorcad tiomána agus Ciss ar mhoill cas agus cas an fheiste.

 

Toilleas aschuir (Coss):

Sainmhíniú: Is é toilleas aschuir an toilleas iomlán idir an draein agus an fhoinse, agus tá sé comhdhéanta den toilleas foinse draein (Cds) agus toilleas an draein geata (Cgd) go comhthreomhar, ie Coss = Cds + Cgd.

 

Ról: In iarratais aistrithe bog, tá Coss an-tábhachtach toisc go bhféadfadh sé athshondas a chur faoi deara sa chiorcad.

 

Cumas Tarchuir Droim ar Ais (Crss):

Sainmhíniú: Tá toilleas an aistrithe droim ar ais comhionann le toilleas draein geata (Cgd) agus is minic a thugtar toilleas Miller air.

 

Ról: Tá toilleas an aistrithe droim ar ais ina pharaiméadar tábhachtach maidir le hamanna ardú agus titim an lasc, agus bíonn tionchar aige freisin ar an am moille sealaithe. Laghdaíonn an luach toilleas de réir mar a mhéadaíonn voltas an fhoinse draein.

II. Ar-fhriotaíocht (Rds(ar))

 

Sainmhíniú: Is éard is in-fhriotaíocht ann an fhriotaíocht idir foinse agus draein MOSFET san ar-stáit faoi choinníollacha sonracha (eg, sruth sceite sonrach, voltas geata, agus teocht).

 

Fachtóirí Tionchair: Ní luach seasta é ar-fhriotaíocht, bíonn tionchar aige ar theocht, dá airde an teocht, is mó an Rds(ar). Ina theannta sin, dá airde an voltas sheasamh, an thicker struchtúr inmheánach an MOSFET, dá airde an ar-friotaíocht comhfhreagrach.

 

 

Tábhacht: Nuair a bhíonn soláthar cumhachta lasctha nó ciorcad tiománaí á dhearadh, is gá machnamh a dhéanamh ar fhriotaíocht an MOSFET, toisc go n-ídíonn an sruth atá ag sreabhadh tríd an MOSFET fuinneamh ar an bhfriotaíocht seo, agus tugtar an chuid seo den fhuinneamh a chaitear ar- caillteanas friotaíochta. Má roghnaítear MOSFET le frith-fhriotaíocht íseal, is féidir an caillteanas ar-fhriotaíocht a laghdú.

 

Sa tríú háit, paraiméadair thábhachtacha eile

Chomh maith leis an toilleas geata agus ar-friotaíocht, tá roinnt paraiméadair tábhachtacha eile ag an MOSFET, mar shampla:

V(BR)DSS (Voltas Miondealaithe Foinse Drain):An voltas foinse draein ag a sroicheann an sruth ag sreabhadh tríd an draein luach sonrach ag teocht ar leith agus an fhoinse geata giorraithe. Os cionn an luacha seo, féadfar damáiste a dhéanamh don fheadán.

 

VGS(th) (Voltas Tairseach):An voltas geata a theastaíonn chun cainéal seolta a chruthú chun tosú ag foirmiú idir an fhoinse agus an draein. Maidir le MOSFETanna caighdeánacha N-chainéil, tá VT thart ar 3 go 6V.

 

ID (Uasmhéid Draenála Leanúnach Reatha):An sruth leanúnach DC uasta is féidir a cheadú ag an sliseanna ag an teocht uasta rátáilte acomhal.

 

IDM (Uasmhéid Draenála Bheartaithe Reatha):Léiríonn sé an leibhéal sruth bíogach is féidir leis an bhfeiste a láimhseáil, agus an sruth bíogach i bhfad níos airde ná sruth leanúnach DC.

 

PD (diomailt uasta cumhachta):is féidir leis an bhfeiste an tomhaltas cumhachta uasta a scaipeadh.

 

Go hachomair, tá toilleas geata, ar-fhriotaíocht agus paraiméadair eile MOSFET ríthábhachtach dá fheidhmíocht agus dá fheidhmiú, agus ní mór iad a roghnú agus a dhearadh de réir cásanna agus riachtanais shonracha an iarratais.