Is é "MOSFET" an giorrúchán de Transistor Éifeacht Réimse Leathsheoltóra Ocsaíd Miotail. Is gléas é atá déanta as trí ábhar: miotail, ocsaíd (SiO2 nó SiN) agus leathsheoltóra. Tá MOSFET ar cheann de na feistí is bunúsaí sa réimse leathsheoltóra. Cibé an bhfuil sé i ndearadh IC nó iarratais ciorcaid leibhéal an bhoird, tá sé an-fhairsing. I measc na bpríomhpharaiméadair MOSFET tá ID, IDM, VGSS, V(BR)DSS, RDS(ar), VGS(ú), srl. An bhfuil iad seo ar eolas agat? OLUKEY Cuideachta, mar winsok Taiwanese lár-go-ard-deireadh mheán agus íseal-voltaisMOSFETsoláthraí seirbhíse gníomhaire, tá foireann lárnach aige le beagnach 20 bliain de thaithí chun paraiméadair éagsúla MOSFET a mhíniú duit go mion!
Cur síos ar bhrí paraiméadair MOSFET
1. Paraiméadair mhór:
ID: Uasmhéid sruth foinse draein. Tagraíonn sé don sruth uasta a cheadaítear chun pas a fháil idir an draein agus an fhoinse nuair a bhíonn an trasraitheoir éifeacht réimse ag feidhmiú de ghnáth. Níor cheart go rachadh sruth oibriúcháin an trasraitheora éifeacht allamuigh thar ID. Laghdaíonn an paraiméadar seo de réir mar a mhéadaíonn teocht an acomhal.
IDM: Uasmhéid srutha foinse draein bíogaigh. Laghdóidh an paraiméadar seo de réir mar a mhéadaíonn teocht an acomhal, rud a léiríonn friotaíocht tionchair agus go bhfuil baint aige freisin leis an am cuisle. Má tá an paraiméadar seo róbheag, d’fhéadfadh an córas a bheith i mbaol a mhiondealaithe de réir srutha le linn tástála OCP.
PD: An chumhacht uasta scaipthe. Tagraíonn sé don diomailt cumhachta foinse draein uasta a cheadaítear gan dul in olcas ar fheidhmíocht an trasraitheora éifeacht allamuigh. Nuair a úsáidtear é, ba cheart go mbeadh tomhaltas cumhachta iarbhír an FET níos lú ná sin an PDSM agus corrlach áirithe a fhágáil. Laghdaíonn an paraiméadar seo go ginearálta de réir mar a mhéadaíonn teocht an acomhal
VDSS: Seasann uasfhoinse draein an voltas. An voltas draein-fhoinse nuair a shroicheann sruth an draein atá ag sileadh luach sonrach (ardú go géar) faoi ghearrchiorcad teocht agus foinse geata ar leith. Tugtar voltas miondealaithe maoláin ar an voltas foinse draein sa chás seo freisin. Tá comhéifeacht teocht dearfach ag VDSS. Ag -50°C, tá VDSS thart ar 90% de sin ag 25°C. Mar gheall ar an liúntas a fhágtar de ghnáth i ngnáththáirgeadh, tá an voltas miondealú avalanche de MOSFET i gcónaí níos mó ná an voltas rátáil ainmniúil.
OLUKEYLeideanna Te: Chun iontaofacht an táirge a chinntiú, faoi na coinníollacha oibre is measa, moltar nach mbeadh an voltas oibre níos mó ná 80 ~ 90% den luach rátáilte.
VGSS: Seasann foinse geata uasta an voltas. Tagraíonn sé don luach VGS nuair a thosaíonn an sruth droim ar ais idir geata agus foinse ag méadú go géar. Má sháraítear an luach voltais seo beidh miondealú tréleictreach ar an gciseal ocsaíd geata, atá ina bhriseadh millteach agus dochúlaithe.
TJ: Teocht uasta acomhal oibriúcháin. Is gnách go bhfuil sé 150 ℃ nó 175 ℃. Faoi na coinníollacha oibre a bhaineann le dearadh gléas, is gá a sheachaint níos mó ná an teocht seo agus corrlach áirithe a fhágáil.
TSTG: raon teochta stórála
Déanann an dá pharaiméadar seo, TJ agus TSTG, an raon teochta acomhal a cheadaítear le timpeallacht oibre agus stórála an fheiste a chalabrú. Socraítear an raon teochta seo chun riachtanais íosta saoil oibriúcháin na feiste a chomhlíonadh. Má áirithítear an gléas a oibriú laistigh den raon teochta seo, déanfar a shaol oibre a leathnú go mór.
2. Paraiméadair statacha
Is gnách go mbíonn coinníollacha tástála MOSFET 2.5V, 4.5V, agus 10V.
V(BR)DSS: Voltas miondealaithe draein-fhoinse. Tagraíonn sé don uasvoltas foinse draein is féidir leis an trasraitheoir éifeacht réimse a sheasamh nuair a bhíonn an voltas geata-foinse VGS 0. Paraiméadar teorannaithe é seo, agus caithfidh an voltas oibriúcháin a chuirtear i bhfeidhm ar an trasraitheoir éifeacht réimse a bheith níos lú ná V(BR). DSS. Tá tréithe teochta dearfacha aige. Dá bhrí sin, ba cheart luach an pharaiméadar seo faoi choinníollacha teocht íseal a ghlacadh mar chomaoin sábháilteachta.
△V(BR)DSS/△Tj: Comhéifeacht teochta voltas miondealú na foinse draein, go ginearálta 0.1V/℃
RDS(ar): Faoi choinníollacha áirithe VGS (10V de ghnáth), teocht acomhal agus sruth draenála, an fhriotaíocht uasta idir draein agus foinse nuair a bhíonn an MOSFET ar siúl. Is paraiméadar an-tábhachtach é a chinneann an chumhacht a chaitear nuair a chuirtear an MOSFET ar siúl. Méadaíonn an paraiméadar seo go ginearálta de réir mar a mhéadaíonn teocht an acomhal. Dá bhrí sin, ba cheart luach an pharaiméadar seo ag an teocht acomhal oibriúcháin is airde a úsáid chun caillteanas agus titim voltais a ríomh.
VGS(th): voltas cas ar (voltas tairsigh). Nuair a sháraíonn an voltas rialaithe geata seachtrach VGS VGS(th), cruthaíonn sraitheanna dromchla inbhéartaithe na réigiún draein agus foinse cainéal nasctha. In iarratais, is minic a dtugtar an voltas cas ar an voltas geata nuair a bhíonn ID comhionann le 1 mA faoi choinníoll gearrchiorcaid an draein. Laghdaíonn an paraiméadar seo go ginearálta de réir mar a mhéadaíonn teocht an acomhal
IDSS: sruth foinse draein sáithithe, an sruth foinse draein nuair is luach áirithe an voltas geata VGS=0 agus VDS. Go ginearálta ag an leibhéal microamp
IGSS: sruth tiomántán geata-fhoinse nó sruth droim ar ais. Ós rud é go bhfuil impedance ionchuir MOSFET an-mhór, tá IGSS go ginearálta sa leibhéal nanoamp.
3. Paraiméadair dhinimiciúla
gfs: tras-seoladh. Tagraíonn sé don chóimheas idir an t-athrú ar an sruth aschuir draein agus an t-athrú ar voltas geata-fhoinse. Is tomhas é ar chumas voltas foinse an gheata chun sruth draein a rialú. Breathnaigh le do thoil ar an gcairt don ghaol aistrithe idir gfs agus VGS.
Qg: Cumas muirir iomlán geata. Is gléas tiomána de chineál voltais é MOSFET. Is é an próiseas tiomána an próiseas bunaíochta voltas geata. Baintear é seo amach tríd an toilleas idir foinse geata agus draein geata a mhuirearú. Déanfar an ghné seo a phlé go mion thíos.
Qgs: Cumas luchtaithe foinse geata
Qgd: muirear geata-go-draein (ag cur san áireamh éifeacht Miller). Is gléas tiomána de chineál voltais é MOSFET. Is é an próiseas tiomána an próiseas bunaíochta voltas geata. Baintear é seo amach tríd an toilleas idir foinse geata agus draein geata a mhuirearú.
Td(ar): moill seolta. An t-am óna n-ardaíonn an voltas ionchuir go 10% go dtí go dtiteann an VDS go 90% dá aimplitiúid
Tr: am ardú, an t-am don voltas aschuir VDS titim ó 90% go 10% dá aimplitiúid
Td(as): Am moille múchta, an t-am óna thiteann an voltas ionchuir go 90% go dtí nuair a ardaíonn an VDS go 10% dá voltas múchta
Tf: Am titim, an t-am chun an voltas aschuir VDS a ardú ó 10% go 90% dá aimplitiúid
Ciss: Toilleas ionchuir, gearrchiorcad an draein agus an fhoinse, agus tomhas an toilleas idir an geata agus an fhoinse le comhartha AC. Ciss = CGD + CGS (ciorcad gearr CDS). Bíonn tionchar díreach aige ar mhoilleanna cas agus cas an fheiste.
Cos: Toilleas aschuir, gearrchiorcad an gheata agus an fhoinse, agus tomhas an toilleas idir an draein agus an fhoinse le comhartha AC. Cos = CDS + CGD
Crss: Cumas tarchurtha droim ar ais. Agus an fhoinse nasctha leis an talamh, an toilleas tomhaiste idir an draein agus an geata Crss=CGD. Ceann de na paraiméadair thábhachtacha le haghaidh lasca ná an t-am ardú agus titim. Crs=CGD
Tá toilleas idirleictreoidí agus toilleas spreagtha MOSFET MOSFET roinnte ina toilleas ionchuir, toilleas aschuir agus toilleas aiseolais ag formhór na monaróirí. Is le haghaidh voltas fosaithe draein go foinse na luachanna a luaitear. Athraíonn na toilleas seo de réir mar a athraíonn an voltas foinse draein, agus tá éifeacht teoranta ag luach an toilleas. Ní thugann an luach toilleas ionchuir ach neas-léiriú ar an muirear a theastaíonn ón gciorcad tiománaí, ach tá an fhaisnéis luchtaithe geata níos úsáidí. Léiríonn sé an méid fuinnimh a chaithfidh an geata a ghearradh chun voltas sonrach geata-go-foinse a bhaint amach.
4. Paraiméadair saintréithe miondealú Avalanche
Is táscaire é an sainpharaiméadar miondealaithe maolchloiche ar chumas an MOSFET róvoltas a sheasamh sa stát as. Má sháraíonn an voltas teorainn-voltas an fhoinse draein, beidh an gléas i staid maoláin.
EAS: Fuinneamh miondealaithe avalanche cuisle aonair. Is teorainn pharaiméadar é seo, rud a léiríonn an t-uasfhuinneamh miondealaithe maolán is féidir leis an MOSFET a sheasamh.
IAR: sruth avalanche
EAR: Fuinneamh Miondealaithe Avalanche arís agus arís eile
5. Paraiméadair dé-óid in vivo
IS: Uasshruth saorrothaí leanúnach (ón bhfoinse)
ISM: sruth bíog uasta saorrothaí (ón bhfoinse)
VSD: titim voltas ar aghaidh
Trr: am aisghabhála droim ar ais
Qrr: Aisghabháil muirear droim ar ais
Ton: Ar aghaidh am seolta. (Go bunúsach diomaibhseach)
Am sealaithe MOSFET agus sainmhíniú ar am múchta
Le linn an phróisis iarratais, is minic gur gá na tréithe seo a leanas a chur san áireamh:
1. Saintréithe comhéifeacht teochta dearfacha V (BR) DSS. Déanann an tréith seo, atá difriúil ó fheistí bipolar, iad a bheith níos iontaofa de réir mar a mhéadaíonn gnáth-theocht oibriúcháin. Ach ní mór duit aird a thabhairt freisin ar a iontaofacht le linn tosú fuar ar theocht íseal.
2. Saintréithe comhéifeacht teochta diúltacha V(GS)th. Laghdóidh acmhainneacht tairseach an gheata go pointe áirithe de réir mar a mhéadaíonn teocht an acomhal. Laghdóidh roinnt radaíochta an poitéinseal tairsí seo freisin, b'fhéidir fiú faoi bhun 0 acmhainneacht. Éilíonn an ghné seo ar innealtóirí aird a thabhairt ar chur isteach agus ar spreagadh bréagach MOSFETanna sna cásanna seo, go háirithe d'fheidhmchláir MOSFET a bhfuil féidearthachtaí ísealthairseacha acu. Mar gheall ar an saintréith seo, is gá uaireanta acmhainneacht lasmuigh den voltas an tiománaí geata a dhearadh go luach diúltach (ag tagairt do N-cineál, P-cineál agus mar sin de) chun cur isteach agus truicearú bréagach a sheachaint.
3.Tréithe teochta dearfacha comhéifeacht VDSon/RDSo. Toisc go n-ardaíonn VDSon/RDSon beagán de réir mar a mhéadaíonn teocht an acomhail, is féidir MOSFETanna a úsáid go díreach ag an am céanna. Tá feistí bipolar díreach os coinne maidir leis seo, agus mar sin éiríonn a n-úsáid go comhthreomhar casta go leor. Méadóidh RDSon beagán freisin de réir mar a mhéadaíonn ID. Cuireann an tréith seo agus tréithe teochta dearfacha RDSon acomhal agus dromchla ar chumas MOSFET miondealú tánaisteach cosúil le feistí dépholacha a sheachaint. Mar sin féin, ba chóir a thabhairt faoi deara go bhfuil éifeacht an ghné seo teoranta go leor. Nuair a úsáidtear é go comhthreomhar, brú-tarraingt nó feidhmchláir eile, ní féidir brath go hiomlán ar fhéinrialú na gné seo. Tá gá le roinnt bearta bunúsacha fós. Míníonn an tréith seo freisin go n-éiríonn caillteanais seolta níos mó ag teochtaí arda. Dá bhrí sin, ba cheart aird ar leith a thabhairt ar roghnú na bparaiméadar agus caillteanais á ríomh.
4. Laghdóidh saintréithe comhéifeacht teocht diúltach ID, tuiscint ar pharaiméadair MOSFET agus a phríomhthréithe ID go mór mar a mhéadaíonn an teocht acomhal. Déanann an tréith seo go minic gur gá a paraiméadair ID a mheas ag teochtaí arda le linn an dearadh.
5. Saintréithe comhéifeacht teochta diúltacha den chumas maolánach IER/EAS. Tar éis ardú teochta an acomhal, cé go mbeidh V(BR)DSS níos mó ag an MOSFET, ba chóir a thabhairt faoi deara go laghdófar an EAS go suntasach. Is é sin le rá, tá a chumas chun avalanches a sheasamh faoi choinníollacha teochta arda i bhfad níos laige ná mar atá ag teocht gnáth.
6. Níl cumas seolta agus feidhmíocht aisghabhála droim ar ais an dé-óid seadánacha sa MOSFET níos fearr ná sin na ngnáthdhé-óid. Níltear ag súil go n-úsáidfear é mar an príomh-iompróir reatha sa lúb sa dearadh. Is minic a bhíonn dé-óid blocála ceangailte i sraith chun na dé-óidí seadánacha sa chorp a neamhbhailiú, agus úsáidtear dé-óid chomhthreomhar breise chun iompróir leictreach ciorcaid a fhoirmiú. Mar sin féin, is féidir é a mheas mar iompróir i gcás seolta gearrthéarmach nó i gcás roinnt riachtanas reatha beaga amhail ceartú sioncrónach.
7. D'fhéadfadh méadú gasta ar an bpoitéinseal draein a bheith ina chúis le spreagadh spíonta ar an tiomántán geata, mar sin ní mór an fhéidearthacht seo a chur san áireamh i bhfeidhmchláir mhóra DVDS/dt (ciorcaid lasctha tapa ardmhinicíochta).
Am postála: Dec-13-2023
