Rogha naMOSFETTá an-tábhachtach, d'fhéadfadh droch-rogha difear a dhéanamh ar úsáid chumhachta an chuaird iomláin, is féidir le máistir nuances na gcomhpháirteanna agus na bparaiméadar MOSFET éagsúla i gciorcaid aistrithe éagsúla cabhrú le hinnealtóirí a lán fadhbanna a sheachaint, is iad seo a leanas roinnt de na moltaí ó Guanhua Weiye chun MOSFETanna a roghnú.
Gcéad dul síos, P-chainéil agus N-cainéal
Is é an chéad chéim ná úsáid MOSFETanna N-chainéil nó P-chainéil a chinneadh. in iarratais cumhachta, nuair a bhíonn talamh MOSFET, agus an t-ualach ceangailte leis an voltas trunk, anMOSFETis lasc taobh ísealvoltais é. I lascadh taobh ísealvoltais, úsáidtear MOSFETanna N-chainéil go ginearálta, rud a chomaoin ar an voltas a theastaíonn chun an gléas a mhúchadh nó a chasadh air. Nuair a bhíonn an MOSFET ceangailte leis an talamh bus agus ualach, úsáidtear lasc taobh ardvoltais. Úsáidtear MOSFETanna P-chainéil de ghnáth, mar gheall ar bhreithniúcháin tiomána voltais. Chun na comhpháirteanna cearta a roghnú don iarratas, tá sé tábhachtach a chinneadh an voltas is gá chun an gléas a thiomáint agus cé chomh héasca atá sé a chur i bhfeidhm sa dearadh. Is é an chéad chéim eile ná an rátáil voltais riachtanach a chinneadh, nó an voltas uasta is féidir leis an gcomhpháirt a iompar. Dá airde an rátáil voltais, is airde costas an fheiste. Go praiticiúil, ba cheart go mbeadh an rátáil voltais níos mó ná an voltas trunk nó bus. Soláthróidh sé seo go leor cosanta ionas nach dteipfidh ar an MOSFET. Maidir le roghnú MOSFET, tá sé tábhachtach an t-uasvoltas is féidir a sheasamh ón draein go dtí an fhoinse a chinneadh, ie, an uas-VDS, agus mar sin tá sé tábhachtach go mbeadh a fhios go n-athraíonn an t-uasvoltas is féidir leis an MOSFET a sheasamh de réir teochta. Ní mór do dhearthóirí an raon voltais a thástáil thar an raon teochta oibriúcháin iomlán. Ní mór go leor corrlach a bheith ag an voltas rátáil chun an raon seo a chlúdach chun a chinntiú nach dteipeann ar an gciorcad. Ina theannta sin, ní mór fachtóirí sábháilteachta eile a chur san áireamh mar voltais ionduchtaithe trasnaigh.
Dara, a chinneadh an rátáil reatha
Braitheann rátáil reatha an MOSFET ar an struchtúr ciorcad. Is é an rátáil reatha an sruth uasta is féidir leis an ualach a sheasamh i ngach cás. Cosúil leis an gcás voltais, ní mór don dearthóir a chinntiú go bhfuil an MOSFET roghnaithe in ann an sruth rátáilte seo a iompar, fiú nuair a ghineann an córas sruth spíce. Is iad an dá chás reatha atá le breithniú ná mód leanúnach agus spikes bíge. tá an MOSFET i riocht seasta i mód seolta leanúnach, nuair a théann an sruth go leanúnach tríd an bhfeiste. Tagraíonn spící bíge do líon mór borrthaí (nó spikes srutha) a shreabhann tríd an bhfeiste, agus sa chás sin, a luaithe a chinntear an t-uassruth, níl le déanamh ach gléas a roghnú go díreach a fhéadfaidh an sruth uasta seo a sheasamh.
Tar éis an sruth rátáilte a roghnú, ríomhtar an caillteanas seolta freisin. I gcásanna ar leith,MOSFETnach comhpháirteanna idéalach iad mar gheall ar na caillteanais leictreacha a tharlaíonn le linn an phróisis seoltaí, na caillteanais seolta mar a thugtar orthu. Nuair a "ar siúl", feidhmíonn an MOSFET mar fhriotóir inathraithe, a chinneann RDS(ON) an fheiste agus a athraíonn go suntasach le teocht. Is féidir caillteanas cumhachta an fheiste a ríomh ó Iload2 x RDS(ON), agus ós rud é go n-athraíonn an frithsheasmhacht in aghaidh an teocht, athraíonn an caillteanas cumhachta go comhréireach. Dá airde an voltas VGS a chuirtear i bhfeidhm ar an MOSFET, is ea is ísle an RDS(ON); os a choinne sin, dá airde an RDS(ON). Maidir le dearthóir an chórais, is é seo an áit a dtagann na malairtí isteach ag brath ar voltas an chórais. I gcás dearaí iniompartha, tá voltais níos ísle níos éasca (agus níos coitianta), agus le haghaidh dearaí tionsclaíocha, is féidir voltais níos airde a úsáid. Tabhair faoi deara go n-ardaíonn an fhriotaíocht RDS(ON) beagán le sruth.
Bíonn tionchar ollmhór ag an teicneolaíocht ar shaintréithe na gcomhpháirteanna, agus is gnách go n-eascraíonn roinnt teicneolaíochtaí go dtiocfaidh méadú ar RDS(ON) nuair a mhéadaítear an VDS uasta. I gcás teicneolaíochtaí den sórt sin, tá gá le méadú ar mhéid sliseog má tá VDS agus RDS(ON) le ísliú, rud a mhéadaíonn méid an phacáiste a théann leis agus an costas forbartha comhfhreagrach. Tá roinnt teicneolaíochtaí sa tionscal a dhéanann iarracht an méadú ar mhéid wafer a rialú, agus is iad na cinn is tábhachtaí díobh teicneolaíochtaí um chothromaíocht trinse agus muirir. I dteicneolaíocht trinse, tá trinse domhain leabaithe sa sliseog, a chuirtear in áirithe go hiondúil le haghaidh voltais ísle, chun an RDS(ON) ar-friotaíocht a laghdú.
III. Déan na ceanglais maidir le diomailt teasa a chinneadh
Is é an chéad chéim eile ná riachtanais theirmeach an chórais a ríomh. Ní mór dhá chás éagsúla a chur san áireamh, an cás is measa agus an cás fíor. Molann TPV na torthaí a ríomh don chás is measa, mar go soláthraíonn an ríomh seo lamháil sábháilteachta níos mó agus go gcinntíonn sé nach dteipfidh ar an gcóras.
IV. Feidhmíocht a Athrú
Ar deireadh, feidhmíocht aistrithe an MOSFET. Tá go leor paraiméadair ann a théann i bhfeidhm ar fheidhmíocht an lasctha, is iad na cinn thábhachtacha ná geata / draein, geata / foinse agus toilleas draein / foinse. Cruthaíonn na toilleas seo caillteanais aistrithe sa chomhpháirt mar gheall ar an ngá iad a mhuirearú gach uair a aistrítear iad. Mar thoradh air sin, laghdaítear luas aistrithe an MOSFET agus laghdaítear éifeachtúlacht an fheiste. D'fhonn na caillteanais iomlána sa fheiste le linn lasctha a ríomh, ní mór don dearthóir na caillteanais le linn an tiontaithe (Eon) agus na caillteanais le linn an mhúchta (Eoff) a ríomh. Is féidir é seo a chur in iúl leis an gcothromóid seo a leanas: Psw = (Eon + Eoff) x minicíocht lasctha. Agus tá an tionchar is mó ag muirear geata (Qgd) ar fheidhmíocht athrú.
Am poist: Aibreán-22-2024
