(1) Éifeacht rialaithe vGS ar ID agus cainéal
① Cás vGS=0
Is féidir a fheiceáil go bhfuil dhá acomhal PN cúl le cúl idir an draein d agus foinsí an mhodha feabhsaithe.MOSFET.
Nuair a bhíonn an voltas geata-foinse vGS=0, fiú má chuirtear an voltas draein-fhoinse vDS leis, agus beag beann ar polaraíocht vDS, bíonn acomhal PN i gcónaí sa stát claonta droim ar ais. Níl aon cainéal seoltaí idir an draein agus an fhoinse, mar sin an sruth draein ID≈0 ag an am seo.
② Cás vGS>0
Má tá vGS>0, gintear réimse leictreach sa chiseal inslithe SiO2 idir an geata agus an tsubstráit. Tá treo an réimse leictrigh ingearach leis an réimse leictreach atá dírithe ón ngeata go dtí an tsubstráit ar an dromchla leathsheoltóra. Repels an réimse leictreach seo poill agus meallann leictreoin. Poill repelling: Déantar na poill sa tsubstráit P-cineál in aice leis an geata a aisir, rud a fhágann iain ghlactha dochorraithe (ian diúltacha) chun ciseal ídiú a dhéanamh. Leictreoin a mhealladh: Déantar na leictreoin (iompróirí mionlaigh) sa tsubstráit P-cineál a mhealladh chuig dromchla an tsubstráit.
(2) Foirmiú cainéal seoltaí:
Nuair a bhíonn an luach vGS beag agus nach bhfuil an cumas chun leictreoin a mhealladh láidir, níl aon cainéal seoltaí fós idir an draein agus an fhoinse. De réir mar a mhéadaíonn vGS, tarraingítear níos mó leictreon chuig ciseal dromchla an tsubstráit P. Nuair a shroicheann vGS luach áirithe, cruthaíonn na leictreoin seo sraith tanaí N-cineál ar dhromchla an tsubstráit P in aice leis an ngeata agus tá siad ceangailte leis an dá réigiún N+, rud a chruthaíonn cainéal seoltaí N-cineál idir an draein agus an fhoinse. Tá a chineál seoltachta os coinne an tsubstráit P, mar sin tugtar ciseal inbhéartaithe air freisin. Is é an vGS níos mó, is amhlaidh is láidre an réimse leictrigh atá ag gníomhú ar an dromchla leathsheoltóra, is mó leictreoin a mhealltar chuig dromchla an tsubstráit P, is é an níos tiús atá an cainéal seoltaí, agus is lú an fhriotaíocht cainéal. Is é an voltas cas ar a dtugtar an voltas geata-foinse nuair a thosaíonn an cainéal ag foirmiú, arna léiriú ag VT.
Tá anN-cainéal MOSFETa phléitear thuas, ní féidir leis cainéal seoltaí a chruthú nuair a bhíonn vGS < VT, agus an feadán i staid scoite. Ní féidir cainéal a fhoirmiú ach amháin nuair a vGS≥VT. An cineál seoMOSFETa chaithfidh cainéal seoltaí a fhoirmiú nuair a thugtar modh feabhsúcháin ar vGS≥VTMOSFET. Tar éis an cainéal a fhoirmiú, gintear sruth draein nuair a chuirtear vDS ar aghaidh voltais i bhfeidhm idir an draein agus an fhoinse. Tionchar vDS ar ID, nuair a vGS> VT agus is luach áirithe é, tá tionchar an voltais draein-fhoinse vDS ar an gcainéal seoltaí agus ID reatha cosúil le tionchar trasraitheoir éifeacht réimse acomhal. Mar gheall ar an titim voltais a ghineann an ID srutha draein feadh an chainéil ní bheidh na voltais idir gach pointe sa chainéal agus an geata cothrom a thuilleadh. Is é an voltas ag an deireadh gar don fhoinse an ceann is mó, áit a bhfuil an cainéal is tiús. Is é an voltas ag an foirceann draein an ceann is lú, agus is é VGD = vGS-vDS a luach, mar sin is é an cainéal an ceann is tanaí anseo. Ach nuair a bhíonn vDS beag (vDS
Am postála: Nov-12-2023
