Cad é ról MOSFETanna beagvoltais?

Tá go leor cineálacha deMOSFETanna, roinnte go príomha i MOSFETanna acomhal agus MOSFETanna geata inslithe dhá chatagóir, agus tá pointí N-chainéil agus P-chainéil acu go léir.

Tá trasraitheoir Éifeacht Réimse-Ocsaíd-Miotail-Leathsheoltóra, dá ngairtear MOSFET, roinnte ina MOSFET cineál ídiú agus cineál feabhsaithe MOSFET.

Roinntear MOSFETanna freisin i bhfeadáin aon-gheata agus dé-gheata. Tá dhá gheata neamhspleách G1 agus G2 ag MOSFET dé-gheata, ó thógáil comhionann le dhá MOSFET aon-gheata ceangailte i sraith, agus athraíonn a sruth aschuir ag an rialú dhá voltas geata. Tugann an tréith seo de MOSFETanna dé-gheata áisiúlacht iontach nuair a úsáidtear iad mar aimplitheoirí ard-minicíochta, aimplitheoirí rialaithe gnóthachain, meascthóir agus dímodulators.

1, MOSFETcineál agus struchtúr

Is cineál FET é MOSFET (is cineál eile é JFET), is féidir é a mhonarú i gcineál feabhsaithe nó ídiú, P-chainéil nó N-chainéil iomlán de cheithre chineál, ach níl ach cur i bhfeidhm teoiriciúil MOSFET feabhsaithe N-chainéil agus P- feabhsaithe i bhfeidhm. cainéal MOSFET, mar sin de ghnáth dá ngairtear NMOS, nó tagraíonn PMOS don dá chineál. Maidir leis na fáthanna nach n-úsáidfí MOSFETanna den chineál ídiú, ná mol cuardach don bhunchúis. Maidir leis an dá MOSFET feabhsaithe, is é an ceann is coitianta a úsáidtear ná NMOS, is é an chúis atá leis ná go bhfuil an fhriotaíocht ar aghaidh beag, agus éasca le monarú. Mar sin, go ginearálta úsáid NMOS chun soláthar cumhachta agus iarratais tiomána mótair a athrú. an ceanglófar seo a leanas, ach freisin níos mó NMOS-bhunaithe. tá trí bhioráin den toilleas seadánacha MOSFET idir na trí bhioráin, rud nach bhfuil ár gcuid riachtanas, ach mar gheall ar theorainneacha an phróisis déantúsaíochta. Tá toilleas seadánacha ann i ndearadh nó i roghnú an chuaird tiomána chun roinnt ama a shábháil, ach níl aon bhealach ann a sheachaint, agus ansin réamhrá mionsonraithe. Sa léaráid scéimreach MOSFET is féidir a fheiceáil, an draein agus an fhoinse idir dé-óid seadánacha. Tugtar an dé-óid comhlacht ar seo, agus é ag tiomáint ualaí réasúnach, tá an dé-óid seo an-tábhachtach. Dála an scéil, ní bhíonn an comhlacht dé-óid ach i MOSFET amháin, de ghnáth ní laistigh den sliseanna ciorcad iomlánaithe.

2, tréithe seolta MOSFET

Is é an tábhacht a bhaineann le seoladh mar lasc, comhionann le dúnadh lasc.NMOS saintréithe, beidh Vgs níos mó ná luach áirithe a sheoladh, oiriúnach le húsáid i gcás nuair a bhíonn an fhoinse bunaithe (tiomáint íseal-deireadh), ach a thagann an voltas geata. ag saintréithe 4V nó 10V.PMOS, seolfaidh Vgs níos lú ná luach áirithe, atá oiriúnach le húsáid sa chás go bhfuil an fhoinse ceangailte leis an VCC (tiomáint ard-deireadh).

Mar sin féin, ar ndóigh, is féidir PMOS a bheith an-éasca le húsáid mar thiománaí ard-deireadh, ach mar gheall ar an bhfriotaíocht, costasach, níos lú cineálacha malartuithe agus cúiseanna eile, sa tiománaí ard-deireadh, de ghnáth fós úsáid NMOS.

3, MOSFETcaillteanas lasctha

Cibé an NMOS nó PMOS é, tar éis an fhriotaíocht a bheith ann, ionas go n-ídíonn an sruth fuinneamh sa fhriotaíocht seo, tugtar an caillteanas ar-fhriotaíocht ar an gcuid seo den fhuinneamh a chaitear. Má roghnaítear MOSFET le frithsheasmhacht bheag, laghdófar an caillteanas ar-fhriotaíocht. Is gnách go mbíonn an gnáthfhriotaíocht MOSFET ísealchumhachta sna deich milliohms, cúpla milliohms ann. Ní mór MOS san am agus scoite, a bheith i gcrích mheandarach an voltas ar fud an MOS tá próiseas ag titim, an sruth ag sileadh trí phróiseas a ardú, le linn an ama seo, tá an caillteanas MOSFET. tugtar an caillteanas lasctha ar tháirge an voltais agus an tsrutha. De ghnáth tá an caillteanas aistrithe i bhfad níos mó ná an caillteanas seoltaí, agus an minicíocht aistrithe níos tapúla, is mó an caillteanas. Is ionann táirge mór voltais agus srutha ag an toirt seolta agus caillteanas mór. Laghdaítear an caillteanas ag gach seoladh de bharr an t-am aistrithe a ghiorrú; laghdaítear an minicíocht lasctha laghdaítear líon na lasca in aghaidh an aonaid ama. Féadfaidh an dá chur chuige an caillteanas aistrithe a laghdú.

 
4, tiomáint MOSFET

I gcomparáid le trasraitheoirí bipolar, glactar leis go coitianta nach bhfuil aon sruth ag teastáil chun an MOSFET a sheoladh, ach amháin go bhfuil an voltas GS os cionn luach áirithe. Tá sé seo éasca a dhéanamh, áfach, ní mór dúinn luas freisin. I struchtúr an MOSFET is féidir leat a fheiceáil go bhfuil toilleas seadánacha idir GS, GD, agus is é tiomáint an MOSFET, go teoiriciúil, an toilleas a mhuirearú agus a urscaoileadh. Teastaíonn sruth chun an toilleoir a mhuirearú, agus toisc gur féidir féachaint ar an toilleoir láithreach mar chiorcad gearr, beidh an sruth meandarach ard. Roghnú / dearadh tiomáint MOSFET Is é an chéad rud ar chóir aird a thabhairt air ná méid an tsrutha gearrchiorcaid mheandarach is féidir a sholáthar. Is é an dara rud ar chóir aird a thabhairt air ná, a úsáidtear go ginearálta i NMOS tiomáint ard-deireadh, ar éileamh go bhfuil an voltas geata níos mó ná an voltas foinse. Ard-deireadh tiomáint MOS feadán voltas foinse sheoladh agus voltas draein (VCC) mar an gcéanna, mar sin an voltas geata ná an VCC 4V nó 10V. ag glacadh leis go bhfuil sa chóras céanna, a fháil ar voltas níos mó ná an VCC, ní mór dúinn ciorcad treisiú speisialta. Tá go leor tiománaithe mótair caidéil muirear comhtháite, ba chóir aird a thabhairt ar a roghnú an toilleoir seachtrach cuí, d'fhonn a fháil go leor gearr-chuaird reatha a thiomáint MOSFET. 4V nó 10V a dúirt thuas a úsáidtear go coitianta MOSFET ar voltas, an dearadh ar ndóigh, an gá atá le corrlach áirithe. Dá airde an voltas, is amhlaidh is tapúla an luas ar an stát agus is ísle an fhriotaíocht ar an stát. De ghnáth úsáidtear MOSFETanna voltais ar-stáit níos lú freisin i gcatagóirí éagsúla, ach i gcórais leictreonaic feithicleach 12V, is leor gnáth-4V ar-stáit.

Is iad seo a leanas príomhpharaiméadair an MOSFET:

1. voltas miondealú foinse geata BVGS - sa phróiseas méadú ar an voltas foinse geata, ionas go mbeidh an geata reatha IG ó náid chun tús a chur le méadú géar ar VGS, ar a dtugtar an voltas miondealú foinse geata BVGS.

2. voltas cas-ar VT - voltas cas ar (ar a dtugtar an voltas tairseach): a dhéanamh ar an fhoinse S agus draein D idir tús an cainéal seoltaí ionann an voltas geata ag teastáil; - MOSFET caighdeánach N-chainéil, tá VT thart ar 3 ~ 6V; - tar éis an phróisis feabhsúcháin is féidir, luach MOSFET VT a dhéanamh síos go dtí 2 ~ 3V.

3. voltas miondealú draein BVDS - faoi choinníoll VGS = 0 (treisithe), sa phróiseas méadú ar an voltas draein ionas go dtosaíonn an ID a mhéadú go suntasach nuair a thugtar an VDS ar an voltas miondealú draein BVDS - ID méadú suntasach mar gheall ar an dá ghné seo a leanas:

(1) miondealú avalanche ar an gciseal ídiú in aice leis an leictreoid draein

(2) miondealú treá idir-cuaille draein-foinse - roinnt MOSFET voltas beag, tá a fhad cainéal gearr, ó am go ham chun an VDS a mhéadú déanfaidh sé an réigiún draein den chiseal ídiú ó am go ham a leathnú go dtí an réigiún foinse. , ionas go mbeidh an fad cainéal de nialas, is é sin, idir an treá draein-fhoinse, treá, an réigiún foinse an chuid is mó de na hiompróirí, an réigiún foinse, díreach a sheasamh an ciseal ídiú an ionsú an leictreacha réimse, chun teacht ar an réigiún sceite, a eascraíonn i ID mór.

4. Friotaíocht ionchuir DC RGS-ie, an cóimheas idir an voltas a chuirtear idir an fhoinse geata agus an sruth geata, cuirtear an tréith seo in iúl uaireanta i dtéarmaí an sruth geata a shreabhann tríd an geata Is féidir le RGS MOSFET níos mó ná 1010Ω go héasca. 5.

5. gm tras-seolta íseal-minicíocht sa VDS le haghaidh luach seasta de na coinníollacha, ar an microvariance an draein reatha agus an fhoinse geata microvariance voltas ba chúis leis an athrú ar a dtugtar an transconductance gm, rud a léiríonn rialú an voltas foinse geata ar an. sruth draein é a thaispeáint go bhfuil an aimpliú MOSFET paraiméadar tábhachtach, go ginearálta sa raon de cúpla go cúpla mA / V. Is féidir leis an MOSFET níos mó ná 1010Ω go héasca.